在半导体器件的制造中，欧姆接触是实现高性能电路的核心技术之一。

RTP技术能够有效修复晶格损伤，提供更加稳定、均匀的欧姆接触，确保器件的稳定性和可靠性。

一、氮化镓（GaN）欧姆接触

氮化镓（GaN）材料因其宽禁带和高击穿场强的特性，在功率电子和射频器件中备受关注，但其欧姆接触的形成极具挑战：

1.高势垒问题

GaN的宽禁带性导致金属与半导体界面存在高势垒，传统退火工艺无法有效降低接触电阻

2.金属选择局限

传统金属（如Ti/Al/Ni/Au）需通过退火触发化学反应，形成低势垒合金（如TiN、AlGaN等）

3.热敏感性与工艺失衡

GaN在高温下易分解，而低温又无法激活金属/GaN界面反应

良好的欧姆接触图形边缘应保持平整，电极之间不应存在导致短路的金属粘合，退火完成后不会出现金属的侧流。

*（左）退火前欧姆接触形态 （右）退火后欧姆接触形态（图源网络，侵删）

在对GaN欧姆接触进行退火处理时，退火温度的控制尤为重要，温度精准度差会导致电阻率的增加以及电流的减小。

*比接触电阻率与退火温度的函数关系（图源：知网，侵删）

其中，退火温度过高可能导致氮化镓材料的损伤或金属电极的熔化；温度过低时会导致金属与半导体之间形成较高的势垒，阻碍载流子的传输。

二、晟鼎RTP快速退火炉优势

针对制成GaN欧姆接触的难点，晟鼎RTP快速退火炉提供以下解决方案：

1.精准的温度-时间控制：

满足GaN的热敏感性，可减少金属层在高温下的扩散时长，抑制界面过度反应

2.强大的温场管理系统：

良好的温度重现性与温度均匀性，避免接触电阻分布不均

3.热预算低，升温速率快：

升温速率可达150℃/s，制程范围覆盖200-1250℃，有效节省工艺时间和热预算成本

4.动态气体调控：

晟鼎RTP快速退火炉最多可配置6组工艺气体，实现退火腔室内气体的快速切换，确保退火处理的稳定性