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实验室桌面型快速退火炉RTP

碳化硅器件制造环节主要包括“光刻、清洗、掺杂、蚀刻、成膜、减薄”等工艺。为了实现碳化硅器件耐高压、大电流功能,离子注入工艺成为碳化硅掺杂的重要步骤,离子注入是一种向半导体材料加入一定数量和种类的杂质,以改变其电学性能的方法,可以精确控制掺入的杂质数量和分布情况。然而离子注入后,碳化硅材料原本的晶格结构被破坏而变成非晶态,这种晶格损伤必须在退火过程中修复成单晶结构并激活掺杂物。

在SiC材料晶体生长过程中,快速退火炉使硅原子可以获得足够的能量进行扩散和迁移,重新排列成有序的晶格结构,有利于提高晶体生长的质量和尺寸,减少缺陷和氧化。通过快速退火处理,可以消除晶体中的应力,提高SiC材料的晶体品质和性能,同时,与传统的退火工艺对比,快速退火具有更高的加热和冷却速度,可以有效缩短退火时间,提高生产效率。

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RTP快速退火炉是一种广泛应用在IC晶圆、LED晶圆、MEMS、化合物半导体、欧姆接触快速合金、离子注入退火、氧化物/氮化物生长等工艺中的加热设备,能够在短时间内将半导体材料迅速加热到高温,具备良好的热均匀性。RTP快速退火炉提供了更先进的温度控制,可以实现秒级退火,提高退火效率的同时可有效节约企业的生产成本。

桌面型快速退火炉

桌面型快速退火炉RTP-Table-6

RTP-Table-6为桌面式4-6英寸晶圆快速退火炉,使用上下两层红外卤素灯管作为热源加热,内部石英腔体保温隔热,腔体外壳为水冷铝合金,使得制品加热均匀,且表面温度低。RTP-Table-6采用PID控制系统,能快速调节红外卤素灯管的输出功率,控温更加精准。

RTP快速退火炉

产品优势

◎升温速度快:升温速率可达150℃/s,有效节省工艺时间

◎精确的温度控制:配备PID控温,实时调节灯管功率输出,保证良好的温度重现性和温度均匀性

◎标配三组工艺气体:如氮气、氩气等,满足不同材料的热处理需求。

◎实时监控:软件主界面能实时显示气体、温度、真空度等参数

◎紧凑的桌面式设计:适合实验室和小型生产环境,节省空间,便于移动和部署

◎全方位保障使用安全:拥有炉门安全温度开启保护、温控器开启权限保护、设备急停安全保护三重措施


适用范围

离子注入退火

ITO镀膜后快速退火

氮化物、氧化物生长

硅化物合金退火

砷化镓工艺

欧姆接触快速合金

氧化回流

其他半导体快速热处理工艺


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