碳化硅器件制造环节主要包括“光刻、清洗、掺杂、蚀刻、成膜、减薄”等工艺。为了实现碳化硅器件耐高压、大电流功能，离子注入工艺成为碳化硅掺杂的重要步骤，离子注入是一种向半导体材料加入一定数量和种类的杂质，以改变其电学性能的方法，可以精确控制掺入的杂质数量和分布情况。然而离子注入后，碳化硅材料原本的晶格结构被破坏而变成非晶态，这种晶格损伤必须在退火过程中修复成单晶结构并激活掺杂物。

在SiC材料晶体生长过程中，快速退火炉使硅原子可以获得足够的能量进行扩散和迁移，重新排列成有序的晶格结构，有利于提高晶体生长的质量和尺寸，减少缺陷和氧化。通过快速退火处理，可以消除晶体中的应力，提高SiC材料的晶体品质和性能，同时，与传统的退火工艺对比，快速退火具有更高的加热和冷却速度，可以有效缩短退火时间，提高生产效率。

图源网络，侵删

RTP快速退火炉是一种广泛应用在IC晶圆、LED晶圆、MEMS、化合物半导体、欧姆接触快速合金、离子注入退火、氧化物/氮化物生长等工艺中的加热设备，能够在短时间内将半导体材料迅速加热到高温，具备良好的热均匀性。RTP快速退火炉提供了更先进的温度控制，可以实现秒级退火，提高退火效率的同时可有效节约企业的生产成本。

桌面型快速退火炉RTP-Table-6

RTP-Table-6为桌面式4-6英寸晶圆快速退火炉，使用上下两层红外卤素灯管作为热源加热，内部石英腔体保温隔热，腔体外壳为水冷铝合金，使得制品加热均匀，且表面温度低。RTP-Table-6采用PID控制系统，能快速调节红外卤素灯管的输出功率，控温更加精准。

产品优势

◎升温速度快：升温速率可达150℃/s，有效节省工艺时间

◎精确的温度控制：配备PID控温，实时调节灯管功率输出，保证良好的温度重现性和温度均匀性

◎标配三组工艺气体：如氮气、氩气等，满足不同材料的热处理需求。

◎实时监控：软件主界面能实时显示气体、温度、真空度等参数

◎紧凑的桌面式设计：适合实验室和小型生产环境，节省空间，便于移动和部署

◎全方位保障使用安全：拥有炉门安全温度开启保护、温控器开启权限保护、设备急停安全保护三重措施

适用范围

离子注入退火

ITO镀膜后快速退火

氮化物、氧化物生长

硅化物合金退火

砷化镓工艺

欧姆接触快速合金

氧化回流

其他半导体快速热处理工艺