能源、信息、国防及轨道交通、电动汽车等领域的快速发展，对功率半导体器件提出了更高耐压、更低损耗及更大功率的要求。氧化镓（Ga2O3）作为新一代半导体材料，凭借超宽禁带、高耐压、低损耗和优异抗极端环境能力，在紫外/红外探测器、激光器、高频通信组件、绝缘层及滤光片等光电子应用领域也展现出广阔的前景。

氧化镓制程核心：退火处理的必要性
  在氧化镓器件制造工艺中，退火处理（Annealing） 是不可或缺的关键步骤，提供热能驱动原子重新排列，促进结构重建，修复因离子注入导致的晶格损伤；通过金属与氧化镓界面发生可控扩散或反应形成低阻接触层；同步优化肖特基接触特性（调控界面态密度与势垒高度）；释放前道工艺引入的机械与热应力，增强界面稳定性与器件长期可靠性，优化电气性能。

氧化镓退火处理的关键挑战
  氧化镓在高温环境下极易分解，或在较低温下因环境控制不当造成失氧，且对退火气氛极为敏感，通常需在惰性或特定含氧气氛中操作，以防表面劣化。因此，需要精确控制退火温度，既要保证良好的修复和激活效果，又不能因温度过高造成材料或金属 / 半导体界面劣化。

传统退火（炉管退火）的局限性与影响
  然而，在实际应用中，常用于掺杂激活的炉管退火存在一定局限性：

这些局限性将直接反映在功能器件的性能上：
  1、造成表面粗糙/劣化，破坏器件精细结构和电极接触
  2、氧气逸出产生氧空位（VO），导致n型导电性异常增加，掺杂激活效果下降，降低载流子迁移率
  3、材料内部镓/氧（Ga/O）比例失调，载流子迁移率降低，影响整体电气性能

晟鼎RTP快速退火炉
  可见，在针对氧化镓的退火处理时，需精确调控气体和温度，平衡防分解与退火工艺需求。
  晟鼎 RTP 快速退火炉可针对性解决以上问题，其核心优势可匹配氧化镓对“温度 - 速率 - 气氛” 的高精度要求：
1、超高温场均匀性
  温度均匀性可实现（±3℃（≤600℃）、±0.5℃（＞600℃）），避免局部超温或低温，减少分解风险；
2、高精度温度重现性
  温度控制精度达±1℃，确保退火效果的一致性；
3、快速升降温速率
  可达150℃/s，大幅缩短氧化镓在中高温区的暴露时间，减少失氧化现象
4、灵活气氛配置
  标配两组工艺气体通道，可根据需求调节气氛，高效完成气体更换或调整

参考文献：
  1、落巨鑫, 高红丽, 邓金祥, 任家辉, 张庆, 李瑞东, 孟雪.退火温度对氧化镓薄膜及紫外探测器性能的影响, 物理学报, 2023, 72(2): 028502. doi: 10.7498/aps.72.20221716
  2.、郭道友, 李培刚, 陈政委, 吴真平, 唐为华. 超宽禁带半导体β-Ga2O3及深紫外透明电极、日盲探测器的研究进展. 物理学报, 2019, 68(7): 078501. doi: 10.7498/aps.68.20181845