为什么要去除光刻胶？
众所周知，光刻胶是半导体晶圆制造的核心材料。在晶圆制程中，光刻工艺约占整个晶圆制造成本的35%，耗时占整个晶圆工艺的40-50%，是半导体制造中最核心的工艺。
在光刻环节里有个不可或缺的步骤就是晶圆去胶，光刻胶在完成图形复制和传递作用后，晶圆表面剩余光刻胶需要通过去胶工艺进行完全清除。
光刻胶如何去除呢？
半导体光刻胶去除工艺，一般分成两种，湿法去胶和干法去胶。相对于湿法去胶，等离子干法去胶利用高能等离子体处理光刻胶表面，去胶彻底且速度快，不需引入化学物质，减少了对晶圆材料的腐蚀和损伤，是现有去胶工艺中最好的方式。
*图源：半导体行业观察
ICP等离子去胶机
ICP等离子去胶机依托晟鼎多年的光刻去胶的经验积累，采用高密度、低损伤等离子源设计，同时配备晟鼎成熟的远程ICP技术，达到高水平的去胶速率，并实现去胶损伤抑制；采用独立腔室结构设计，实现均匀的流场分布，去胶均匀性表现优异。
产品优势：
● 兼容主流4-8寸圆形晶圆
● 单次可处理两片晶圆，处理过程保持较低温度
● 全自动程度高，实现全自动晶圆上下料、清洗流程
● 等离子密度高，去胶效果好
*设备除胶标准
RIE等离子去胶机
RIE PLASMA去胶机是适用于硅基材料的晶圆表面去胶的清洗设备，也可用于光刻胶去除，碳化硅刻蚀，硬掩膜层干法清除，刻蚀后表面清洁，氧化硅或氮化硅刻蚀，DESCUM，介质与介质间光阻去除等应用领域，材料适用范围：4-8寸。设备稳定可靠、易于维护、产能高。
产品优势：
● 高密度等离子体，各种工艺兼容性高
● 清洗均匀性高，设备易于维护
● 紧凑集成式设计、占地少
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